晶圓代工廠聯電加碼布局AI新技術，董事會再核准32億美元（約新台幣千億元）資本支出，鎖定矽光子、3D IC及薄膜鈮酸鋰（TFLN）三大領域，規劃月產能分別達1.8萬、2.2萬及2萬片，預計2028年底開始放量、2030年達到全面規模。聯電執行長王石指出，新業務已從技術驗證進入量產及產能規劃階段，擴產將以客戶承諾為基礎，搶攻次世代AI伺服器光學傳輸、電力傳輸與記憶體頻寬商機。
晶圓代工廠聯電加碼布局AI新技術，董事會再核准32億美元（約新台幣千億元）資本支出，鎖定矽光子、3D IC及薄膜鈮酸鋰（TFLN）三大領域，規劃月產能分別達1.8萬、2.2萬及2萬片，預計2028年底開始放量、2030年達到全面規模。聯電執行長王石指出，新業務已從技術驗證進入量產及產能規劃階段，擴產將以客戶承諾為基礎，搶攻次世代AI伺服器光學傳輸、電力傳輸與記憶體頻寬商機。
聯電執行長王石今（28）日在法說會上表示，聯電幾項新成長業務，從技術研發走向商業化的速度比預期更快，背後有三大因素，包括AI基礎設施對頻寬、電力傳輸、記憶體效能及系統整合的需求持續增加；客戶合作從產品認證進入量產與產能規劃，以及聯電技術藍圖持續推進。他透露，目前已有相關產品量產，更多產品完成流片及客戶驗證。
王石指出，公司目前關注的重點已轉向擴充產能以滿足客戶需求。依照規劃，矽光子產能將以新加坡廠為主，3D IC及矽電容布局台南廠，薄膜鈮酸鋰（TFLN）則由8吋廠負責，採分階段建置方式，初步裝機預計從2028年底延續至2029年。
在矽光子方面，聯電12吋光子積體電路（PIC）平台已支援1.6T光學應用，8吋TFLN平台也完成1.6T系統驗證，並展現量產良率。王石表示，多家大型雲端服務商已通過聯電1.6T光收發器平台驗證，技術藍圖則朝每通道200G、最終400G推進，瞄準次世代3.2T光學傳輸應用，並結合混合鍵合、矽穿孔（TSV）及晶圓級整合技術。
先進封裝方面，聯電用於行動裝置的離散式3D IC方案已於本季進入量產；面向AI及伺服器的基板內嵌式3D IC，則已與關鍵客戶完成流片及功能驗證，客製化記憶體堆疊方案也通過初步客戶驗證，因應AI推論對記憶體頻寬日益增加的需求。
針對市場關注AI需求放緩及同業擴產可能造成供過於求，王石表示，矽光子與相關AI基礎設施需求成長速度，目前仍快於產能增加速度，聯電也持續追蹤同業擴產及整體新增供給時程，並透過分階段建置、與客戶產品藍圖及需求承諾緊密連結的方式控管風險。他並指出，即使完成規劃中的擴產，預期客戶需求仍將超過最終產能。
聯電也上修AI業務的長期成長想像。王石表示，預期今年AI相關營收接近3億美元，展望2029年，AI營收貢獻甚至可能達到或超過公司總營收的25%。
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