艾司摩爾科技股份有限公司與台積電宣布，共同引領半導體產業轉移升級至更大尺寸的極紫外光（EUV）微影光罩。 High NA EUV將自現行的6吋光罩，轉移至更大的12吋光罩，預期將進一步提升晶圓廠的生 產力、降低晶片製造成本，並消除需要兩張6吋光罩在High NA EUV曝光時進行拼接的限制， 使整個半導體產業受惠。此轉移能讓先進晶片製造服務提供者充分利用High NA EUV的優 勢，更提升未來世代先進晶片的成本效益。
艾司摩爾總裁暨執行長Christophe Fouquet表示：「我們預期，隨著元件微縮藍圖的推進，High NA EUV的採用將逐步提升。初期透過沿用現行的6吋光罩，而後導入12吋光罩以進一步提 升設備生產力，讓產業能夠滿足市場對更小、更快、更節能晶片的需求。我們很高興這項 合作在初期便獲得半導體製造廠商、光罩廠商、以及合作夥伴的大力支持。」
台積公司董事長暨總裁魏哲家博士表示：「台積公司深信，唯有產業攜手解決複雜問題，才 能開創單一企業無法獨力實現的無限可能。藉由匯聚產業價值鏈的專業能力，我們期許透 過持續創新來降低門檻，讓先進解決方案得以大規模普及，進而持續傳遞尖端技術的價值。」 台積公司有意自2030年起，在先進製程量產中導入艾司摩爾的High NA技術。隨著製程技術 持續推進，特別是在AI應用帶動電晶體架構日益複雜的趨勢下，台積公司預期需要使用 High NA EUV 曝光的光罩層數將隨之增加。 艾司摩爾與台積公司7日於加州蒙特雷舉辦的BACUS國際光學工程學會（SPIE）先進微影 技術研討會前宣布發起產業合作，以共同推動轉移升級至12吋光罩，並計劃於2031年之前 建立12吋光罩試產線，為2033年12吋High NA微影系統導入先進製程量產奠定基礎。
相關文章
