（記者許韋傑／綜合報導）中國科技大廠華為近期高調提出半導體新概念，透過晶粒堆疊、3D封裝與混合鍵合等技術，在不 […]
（記者許韋傑／綜合報導）中國科技大廠華為近期高調提出半導體新概念，透過晶粒堆疊、3D封裝與混合鍵合等技術，在不依賴極紫外光（EUV）設備的情況下提升晶片效能，被部分市場人士視為可能挑戰台積電先進製程地位的新路線。
對此，輝達執行長黃仁勳28日晚間在「兆元宴」供應鏈餐敘後接受媒體聯訪，首度公開回應。他直言，「這對華為來說是突破，讓電晶體數量增加2倍、3倍甚至4倍，但對台積電不是威脅。」黃仁勳強調，台積電其實早在近10年前就已深耕CoWoS、SoIC等先進封裝領域，技術能力至今仍相當領先，「台積電的技術非常先進，台灣早就擁有這項技術。」
黃仁勳表示，華為新方向反映的是中國在美國制裁及EUV設備受限下，試圖尋求「非製程微縮」的替代突破路線，但距離真正威脅台積電的地位仍有相當距離。當晚出席兆元宴的台積電董事長魏哲家、鴻海董事長劉揚偉及廣達董事長林百里等科技大咖，也對台灣半導體產業展現高度信心。
